Características principales

• Memoria interna: 4 GB
• Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
• Tipo de memoria interna: DDR4
• Rango de memoria de transferencia de datos: 2666 MT/s
• Componente para: Portátil
• Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM
• ECC: No
• Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
• Latencia CAS: 19
• Clasificación de memoria: 1
• Voltaje de memoria: 1.2 V
• Tiempo de ciclo de fila: 45,75 ns
• Tiempo de actualización de ciclo de fila: 350 ns
• Tiempo activo en fila: 32 ns
• Programador de potencia de voltaje (VPP): 2,5 V
• País de origen: Taiwán
• Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
• Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
• Certificados de conformidad: RoHS
• No contiene: Halógeno
• Ancho: 69,6 mm
• Profundidad: 2,45 mm
• Altura: 30 mm
• Código de Sistema de Armomización (SA): 84733020